超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响 |
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引用本文: | 徐东升,郭国霖,桂琳琳,唐有祺,张伯蕊,秦国刚.超临界干燥和普通干燥方法对多孔硅的结构及性质的影响[J].科学通报,1999,44(21):2272-2276. |
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作者姓名: | 徐东升 郭国霖 桂琳琳 唐有祺 张伯蕊 秦国刚 |
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作者单位: | 1. 北京大学物理化学研究所,北京,100871 2. 北京大学物理系,北京,100871 |
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摘 要: | 对经超临界干燥与经自然干燥处理的多孔硅样品的表面形貌,光致发光、Raman光谱和光吸收特性进行了对比研究。扫描电子显微镜和Raman光谱分析表明,经超临界干燥自理与自然干燥处理的多孔硅样品的微结构存在显著的差异。
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关 键 词: | 多孔硅 超临界干燥 光致发光 光吸收 |
收稿时间: | 1999-02-24 |
修稿时间: | 1999-07-08 |
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