| 高激发密度CdS晶体中的激子与电子散射的研究 |
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| 引用本文： | 戚继发.高激发密度CdS晶体中的激子与电子散射的研究[J].科学通报,1989,34(5):336-336. |
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| 作者姓名： | 戚继发 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所，中国科学院长春物理研究所，中国科学院长春物理研究所 北京工业学院应用物理系，天津理工学院材料物理研究所 |
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| 摘 要： | 七十年代以来,对Cds等Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的受激发射的研究,推动了高激发密度半导体研究的发展,已经从实验和理论上认识到激子-电子散射发光是在100K以上温度时一种主要的复合过程,可以产生较高的增益。以往的工作多是偏重于受激发射研究,以获得激光的输出,讨论结果偏重于发射带随温度的变化关系,对于散射发光的动力学过程研究很少。 近年来,由于快速光学信息处理的研究发展,人们对这类材料的光学非线性及双稳态现象很感兴趣。这是因为激子等元激发态产生的光学非线的弛豫时间短,有良好的响应特性。 本文中,我们研究了CdS单晶中高激发密度下的激子-电子散射发光过程。从发光带的
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| 关 键 词： | 高激发密度 Cds 激子与电子散射 |
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