| Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜中原子的化学状态 |
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| 引用本文： | 于广华,朱逢吾,柴春林.Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜中原子的化学状态[J].科学通报,2001,46(23):1944-1947. |
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| 作者姓名： | 于广华 朱逢吾 柴春林 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料物理系, |
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| 基金项目： | 本工作为北京市自然科学基金资助项目(批准号: 2012011). |
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| 摘 要： | 用射频／直流磁控溅射法制备了Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜，并利用X射线光电子能谱（XPS）和振动样品磁强计（VSM）研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta薄膜磁性之间的关系。结果表明：当溅射气压为0．47Pa，Ar/O2为7：1时，制备的NiOx中的x≌1，镍为＋2价，相应的交换耦合场（Hex）最大；Ar/O2比偏离7：1时，NiOx层中出现单质镍和＋价的镍，相应的Hex也下降，单质镍的出现还会增大该磁性薄膜的矫顽力（Hc），用XPS还研究了Co/AlOx/Co磁性薄膜中AlOx对Co膜的覆盖状况，Al层将Co膜完全覆盖所需要的最小厚度约1．8nm，采用角分辨XPS方法测出的Al的氧化物为Al2O3，氧化厚度为1．2nm。
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| 关 键 词： | 交换耦合 Co／AlOx／Co X射线光电子能谱 化学状态 Ta／NiOx／Ni81Fe19／Ta 磁性薄膜 自旋阀结构 |
| 收稿时间： | 2001-07-16 |
| 修稿时间： | 2001年7月16日 |
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