| 同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究 |
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| 引用本文： | 谢常青.同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究[J].科学通报,1995,40(21):2010-2010. |
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| 作者姓名： | 谢常青 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究中心 北京100029
(谢常青，陈梦真，王玉玲，孙宝银，周生辉)，中国科学院高能物理研究所 北京100039(朱樟震) |
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| 基金项目： | 国家“攀登”计划资助项目 |
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| 摘 要： | 同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.
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| 关 键 词： | 同步辐射 X射线光刻 光刻胶 显影模型 光刻 |
| 收稿时间： | 1994-09-12 |
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