| 高岭石/甲酰胺插层的1H 魔角旋转核磁共振谱 |
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| 引用本文： | 王林江,吴大清,袁鹏,陈志伟,陈忠.高岭石/甲酰胺插层的1H 魔角旋转核磁共振谱[J].科学通报,2001,46(22):1910-1913. |
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| 作者姓名： | 王林江 吴大清 袁鹏 陈志伟 陈忠 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院广州地球化学研究所 ,广州 510640 ,中国;(2)厦门大学固体表面物理化学重点实验室 ,厦门 361005 ,中国;(3)厦门大学化学化工学院 ,厦门 361005 ,中国 |
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| 摘 要： | 应用高转速的1H 魔角旋转核磁共振技术, 区分高岭石结构中的内羟基和内表面羟基, 研究高岭石/甲酰胺插层机理. 内羟基质子的化学位移δ = -1.3~-0.9, 内表面羟基δ = 2.4~3.0. 高岭石/甲酰胺插层复合物的1H 核磁共振谱出现3个质子峰, 内表面羟基与甲酰胺羰基形成氢键后质子峰向高场方向位移至δ = 2.3~2.7; 由于氨基质子在高岭石复三方孔洞的嵌入, 在氨基质子与内羟基质子之间产生范德华效应, 使内羟基质子峰向低场方向位移至δ = -0.3. 插层作用产生的附加质子峰为δ = 5.4~5.6, 归属于与高岭石四面体氧原子形成氢键的氨基质子.
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| 关 键 词： | 高岭石 表面羟基 甲酰胺 插层反应机理 1H核磁共振谱 |
| 收稿时间： | 2001-07-10 |
| 修稿时间： | 2001-09-11 |
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