| CHF3/Ar 等离子体刻蚀BST 薄膜的机理研究 |
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| 引用本文： | 戴丽萍,王姝娅,束平,钟志亲,王刚,张国俊.CHF3/Ar 等离子体刻蚀BST 薄膜的机理研究[J].科学通报,2011,56(18):1477-1480. |
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| 作者姓名： | 戴丽萍 王姝娅 束平 钟志亲 王刚 张国俊 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 电子科技大学基础研究项目(Y02002010301045); 电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200909)资助 |
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| 摘 要： | 采用XPS 方法, 通过对刻蚀前后BST(钛酸锶钡)薄膜表面成分、元素化合态以及原子相对百分含量分析, 探讨了CHF3/Ar 等离子刻蚀BST 薄膜的RIE(反应离子刻蚀)机理. 研究结果表明, 在刻蚀过程中, 金属Ba, Sr, Ti 和F 等离子体发生化学反应并生成相应的氟化物且部分残余在薄膜表面, 因为TiF4 具有高挥发特性, 残余物几乎没有钛氟化物. 然而, XPS 表明Ti-F 仍然少量存在, 认为是存在于Metal-O-F 这种结构中, 而O1s 进一步证实了Metal-O-F 的存在.基于原子的相对百分含量, 我们发现刻蚀后薄膜表面富集氟, 源于高沸点的氟化物BaF2 和SrF2 沉积, 导致刻蚀速度仅达12.86 nm/min. 同时并没有发现C-F 多聚物的形成, 因此去除残余物BaF2 和SrF2 有利于进一步刻蚀. 针对这种分析结果, 本文提出对BST 薄膜每4 min 刻蚀后进行1 min Ar 等离子体物理轰击方案, 发现残余物得以去除.
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| 关 键 词： | 钛酸锶钡 反应离子刻蚀 光电子能谱 等离子体 |
| 收稿时间： | 2011-02-22 |
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