| 1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计 |
| |
| 引用本文： | 王海啸,郑新和,文瑜,吴渊渊,甘兴源,王乃明,杨辉.1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计[J].中国科学(G辑),2013(8):930-935. |
| |
| 作者姓名： | 王海啸 郑新和 文瑜 吴渊渊 甘兴源 王乃明 杨辉 |
| |
| 作者单位： | [1]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州215123： [2]中国科学院大学,北京100190 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：61274134）; 苏州市国际合作项目（编号：SH201215）资助 |
| |
| 摘 要： | 使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.
|
| 关 键 词： | GaNAs InGaAs短周期超晶格 传输矩阵方法 太阳能电池 超晶格参数 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
