| 硅基光电子学研究进展与趋势 |
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| 引用本文： | 余金中.硅基光电子学研究进展与趋势[J].世界科技研究与发展,2007,29(5):50-56. |
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| 作者姓名： | 余金中 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视.利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础.同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17 μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55 μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30 GHz的SOI CMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等.硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用.本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势.
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| 关 键 词： | 硅基光电子 量子结构 激光器 探测器 光波导 光开关阵列 |
Advances and Tendency of Si Based Optoelectronics |
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| YU Jinzhong.Advances and Tendency of Si Based Optoelectronics[J].World Sci-tech R & D,2007,29(5):50-56. |
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| Authors: | YU Jinzhong |
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