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| P—N—P超高频沟道基区宽温晶体管设计与制造 | |
| 引用本文： | 仲玉林,丛众,裴德礼,王大奇,王光宇.P—N—P超高频沟道基区宽温晶体管设计与制造[J].辽宁大学学报(自然科学版),1988(2). |
| 作者姓名： | 仲玉林 丛众 裴德礼 王大奇 王光宇 |
| 作者单位： | 辽宁大学物理系 (仲玉林，丛众，裴德礼，王大奇)，辽宁大学物理系(王光宇) |
| 摘 要： | 本文描述了PNP超高频沟道基区全温晶体管新器件的结构,工作原理,设计与制造,这种新器件的突出特点是当温度T变化时,h_(FE)漂移较小。测试结果表明: 环境温度从25℃升到180℃时,器件的h_(FE)随温度T变化率小于35%. 当温度由25℃升到180℃时,这种新器件的h_(FE)变化率均优于同类型的常规双极结型晶体管的h_(FE)变化率。变化率平均改善20%. 当温度从25℃降到-55℃时,新器件的h_(FE)变化率小于或等于30%. 器件的特征频率达到:f_T=700MC |
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