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(HgS/CdS)nHgS线状超品格电子能带结构
引用本文:
郑瑞伦,田德祥,郑勇林.(HgS/CdS)nHgS线状超品格电子能带结构[J].重庆大学学报(自然科学版),2003,26(11):80-82,86.
作者姓名:
郑瑞伦
田德祥
郑勇林
作者单位:
[1]西南师范大学物理系,重庆400715 [2]涪陵师范学院物理系,重庆涪陵408003
基金项目:
国家自然科学基金,10147207,
摘 要:
建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程,并对(HgS/CdS)nHgS线状超晶格作具体计算,探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明:沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构,低能带的宽度要比高能带的宽度小;势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大;圆柱半径在40^。A左右时,第一禁带宽度最大。
关 键 词:
(HgS/CdS)nHgS线状超晶格
电子能带结构
电子能谱
薛定谔方程
势阱
势垒
超晶格材料
文章编号:
1000-582X(2003)11-0080-03
The Electronic Energy-band Structures of (HgS/CdS)nHgS Linear Superlattice
Abstract:
Keywords:
(HgSCdS)_nHgS linear superlattice
energy-band structures
electronic energy spectrum
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