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| Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响 | |
| 引用本文： | 李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,李铁,邹世昌.Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响[J].中国科学(E辑),2000,30(1):3. |
| 作者姓名： | 李冠雄 沈鸿烈 沈勤我 李铁 邹世昌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
| 摘 要： | 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜.研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响，发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到0.9
nm时表现出明显的各向异性，而过渡层厚度小于0.9 nm时基本上呈各向同性.
巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释.在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有(301)择优取向的Co |
| 关 键 词： | 过渡层 巨磁电阻 各向异性 三明治膜▲ |
| 修稿时间： | 1999-03-01 |
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