| 硅量子点的介电受限特性 |
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| 引用本文： | 郭震宁,郭亨群,王加贤,张文珍.硅量子点的介电受限特性[J].华侨大学学报(自然科学版),2001,22(2):143-146. |
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| 作者姓名： | 郭震宁 郭亨群 王加贤 张文珍 |
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| 作者单位： | 华侨大学信息科学与工程学院, |
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| 基金项目： | 国家自然科学重大科研基金，集成光电子学国家重点实验室开放课题 |
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| 摘 要： | 在有效质量近似的条件下，研究弱束缚类量子点的介电常数与其半径的关系，通过室温下测得的硅量子点的光荧光光谱，计算硅量子点的介电常数，证实硅量子点介电常数的尺度效应。
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| 关 键 词： | 硅量子点 介电常数 激子 尺度效应 半导体 有限度量近似 弱束缚长 |
| 文章编号： | 1000-5013(2001)02-143-04 |
| 修稿时间： | 2000年10月17 |
Dielectric Confinement Property of Silicon Quantum Dots |
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| Guo Zhenning,GuoHengqun Wang Jiaxian,Zhang Wenzhen.Dielectric Confinement Property of Silicon Quantum Dots[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2001,22(2):143-146. |
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| Authors: | Guo Zhenning GuoHengqun Wang Jiaxian Zhang Wenzhen |
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| Abstract: | Under the condition of effectivemass approximation,the authors studied the relation between dielectric constant of loosely bounded quantum dots and their radii;and calculated the dielectric constant of silicon quantum dots by way of photoluminescent spectra of silicon quantum dots determined at room temperature ;and confirmed the dimensional effect of the dielectric constant of silicon quantum dots. |
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| Keywords: | silicon quantum dots dielectrie constant exciton |
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