| n-InN/p-NiO异质结能带排列的X射线光电子能谱测量 |
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| 引用本文： | 王景峰,焦飞,蔡令波,张磾,崔晓敏,景强.n-InN/p-NiO异质结能带排列的X射线光电子能谱测量[J].山东理工大学学报,2020,34(4). |
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| 作者姓名： | 王景峰 焦飞 蔡令波 张磾 崔晓敏 景强 |
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| 作者单位： | 山东理工大学 物理与光电工程学院,山东 淄博255049;山东理工大学 功能分子材料实验室,山东 淄博255049;山东理工大学 功能分子材料实验室,山东 淄博255049;山东理工大学 材料科学与工程学院,山东 淄博255049;山东理工大学 物理与光电工程学院,山东 淄博255049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;山东省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 为了准确确定n-InN/p-NiO价带和导带的补偿,使基于n-InN/p-NiO异质结的光电子器件应用和器件模型分析更加科学,利用X射线光电子能谱测量了n-InN/p-NiO异质结的价带补偿。异质结的价带补偿值为0.38±0.19 eV,导带补偿为3.33±0.19 eV,表明该异质结为交错型能带排列。与具有断带型能带排列的InN/Si和InN/GaAs异质结相比,n-InN/p-NiO异质结可以更容易地形成p-n结。
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| 关 键 词： | InN NiO 异质结 能带排列 X射线光电子能谱 分子束外延 |
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