| 交变电流对FeNiPB非晶合金畴结构的影响 |
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| 引用本文： | 吕旗,姜恩永,李文成. 交变电流对FeNiPB非晶合金畴结构的影响[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版), 1987, 0(2) |
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| 作者姓名： | 吕旗 姜恩永 李文成 |
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| 作者单位： | 天津大学物理系(吕旗，姜恩永)，天津大学物理系(李文成) |
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| 摘 要： | 我们用测量复阻抗z的方法,研究了交变电流对F_(e41)N_(i39)P_(12)B_8非晶合金畴结构的影响,并测量了50H_z到200K_z之间的样品临界电流I_c,计算出其Bloch畴壁表面能σ和畴宽D的数值。依据实验结果,我们提出了一种新的测量方法:当样品表面形成单畴时,其复阻抗中磁贡献部分为固定值,此时通过样品的电流就是临界电流I_c,由临界电流与壁表面能的关系I_c=4σω/M_st可以确定出畴壁表面的数值。我们的实验结果为2.00×10~(-4)J/m~2量级,与扫描电镜方法的结果一致,这就证明了此方法的正确性。另外,我们还研究了退火处理对畴表面的影响和交变电流频率对样品复阻实部ReZ的影响。
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| 关 键 词： | 非晶合金 畴壁表面能 |
EFFECT OF A. C. CURRENT ON DOMAIN STRUCTURE IN AMORPHOUS FENIPB ALLOY |
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| Lu Qi,Jiang Enyong,Li Wencheng. EFFECT OF A. C. CURRENT ON DOMAIN STRUCTURE IN AMORPHOUS FENIPB ALLOY[J]. Journal of Tianjin University(Science and Technology), 1987, 0(2) |
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| Authors: | Lu Qi Jiang Enyong Li Wencheng |
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| Affiliation: | Department of Physics |
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| Keywords: | Amorphous alloy Domain-wall surface energy |
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