| 氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 唐逸,杨春生,张丛春.氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响[J].上海交通大学学报,2006,40(1):108-111. |
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| 作者姓名： | 唐逸 杨春生 张丛春 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 上海市科委纳米专项项目(0214nm032)，教育部科学技术研究重大项目资助(0307) |
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| 摘 要： | 为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学计量比,经750℃、30 min氧气保护热处理后,呈现出BST材料固有的钙钛矿相,有较高的介电常数(rε=700)和较低的漏电流密度(1.9μA/cm2);氧氩混合气氛沉积的BST纳米薄膜,由于氧负离子反溅射作用,使薄膜的化学成分偏离化学计量比,经相同热处理后,不能形成相应的晶体结构,导致薄膜的rε下降、漏电流密度提高,介电性能变坏;pO2的变化对沉积薄膜的化学成分影响不大.
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| 关 键 词： | 钛酸锶钡 射频磁控溅射 氧分压 X射线衍射 介电性能 |
| 文章编号： | 1006-2467(2006)01-0108-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-15 |
| 修稿时间： | 2004年12月15 |
The Effect of Oxygen Partial Pressure on RF Sputtered (Ba,Sr)TiO3 Thin Film and Its Electrical Properties |
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| TANG Yi,YANG Chun-Sheng,ZHANG Cong-chun.The Effect of Oxygen Partial Pressure on RF Sputtered (Ba,Sr)TiO3 Thin Film and Its Electrical Properties[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,2006,40(1):108-111. |
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| Authors: | TANG Yi YANG Chun-Sheng ZHANG Cong-chun |
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| Institution: | National Key Lab. of Nano/Micro Fabricati Key Lab. for Thin Inst. of Micro and Nano Science Film and Microfabrication of th and Technology, Shanghai Jiao e on Technology, Ministry of Education tong Univ. , Shanghai 200030, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (Ba Sr) TiO_3(BST) RF magnetron sputtering O_2 partial pressure X-ray diffraction (dielectrical) properties |
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