| C+离子注入与CoSi2薄膜应力的研究 |
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| 引用本文： | 王若楠,刘继峰,冯嘉猷.C+离子注入与CoSi2薄膜应力的研究[J].自然科学进展,2002,12(12):1296-1300. |
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| 作者姓名： | 王若楠 刘继峰 冯嘉猷 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:50171035) |
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| 摘 要： | 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi 2 薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源.实验在Si(100)基体注入碳离子(C + ),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称RTA)形成二硅化钴(CoSi 2 )薄膜,发现薄膜中的应力随C + 离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C + 离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较.
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| 关 键 词： | CoSi 2 薄膜 应力 原子表面电子密度 TFD模型 |
| 修稿时间： | 2002年4月29日 |
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