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| Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响 | |
| 作者单位： | ;1.河南科技大学物理与工程学院 |
| 摘 要： | 研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。 |
| 关 键 词： | 压敏电阻 二氧化锡 势垒高度 非线性系数 |
Effect of Nb_2O_5 on Electrical Properties of SnO_2-Zn_2SnO_4 Varistor System |
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| Keywords: | |