| 含杂质方铅矿的电子结构和光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 蓝丽红,艾光湧,王佳琪,蓝 平,陈建华.含杂质方铅矿的电子结构和光学性质的第一性原理计算[J].科学技术与工程,2017,17(12). |
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| 作者姓名： | 蓝丽红 艾光湧 王佳琪 蓝 平 陈建华 |
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| 作者单位： | 广西民族大学化学化工学院,广西民族大学化学化工学院,广西民族大学化学化工学院,广西民族大学化学化工学院,广西大学资源与冶金学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51464006),广西民族大学重点科研项目(2012MDZD038),广西高校人才小高地建设创新团队计划(桂教人201147-12),广西民族大学-广西化工研究院研究生培养基地专项资金(BYB-012),广西教育厅重点实验室建设项目校地校企科技创新平台建设(桂教科研[2012]9号)资助 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的计算方法,研究银、铟和铊杂质对方铅矿晶体电子能带结构和光学性质的影响。结果表明,银和铊杂质使方铅矿的带隙变窄,而铟杂质相反。当方铅矿晶体中的铅原子被银和铊取代时,费米能级向低能方向移动;且在价带中出现了铟和铊的杂质能级。银和铊杂质没有改变方铅矿的半导体类型,铟杂质的掺入使方铅矿由直接带隙p型半导体转变为间接带隙n型半导体。这有利于电子的转移和提高方铅矿的电化学反应活性。光学性质的计算结果表明,银、铟和铊杂质使方铅矿的吸收带红移。特别是银杂质的存在使方铅矿的吸收系数增加了三个数量级。
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| 关 键 词： | 方铅矿(硫化铅) 光学性质 电子结构 密度泛函理论(DFT) |
| 收稿时间： | 2016/10/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/12/2 0:00:00 |
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