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| Gd膜在Ni(110)上生长的同步辐射研究 | |
| 作者姓名： | ()朱俊发 ()徐法强 ()孙玉明 ()王险峰 ()徐彭寿 ()庄叔贤 |
| 作者单位： | [1]中国科学院技术大学化学物理系 [2]国家同步辐射实验室 |
| 摘 要： | 应用同步辐射 (h ν =100 eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)谱带由位于 8 5eV的单峰向位于 8 5和 10 8eV的双峰结构转变 .Gd(4d)峰亦有类似的结果 .该表面在 6 0 0K高温退火引起了Gd 4f和 4d双峰中的高结合能峰的强烈衰减和消失 .对室温下Gd在Ni(110 )面上的生长模式及在高覆盖度时生成的Gd 4f和 4d高结合能峰的本质进行了讨论. |
| 关 键 词： | Gd膜 同步辐射 Ni(110)表面 |
| 收稿时间： | 1997-09-09 |
| 修稿时间： | 1997-12-08 |
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