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铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计
引用本文:凌朝东,曾德友,李国刚,王加贤.铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计[J].华侨大学学报(自然科学版),2008,29(3).
作者姓名:凌朝东  曾德友  李国刚  王加贤
作者单位:华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021
基金项目:福建省自然科学基金资助项目 , 厦门市科技计划项目
摘    要:针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6 μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Cadence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10~90 ℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.

关 键 词:互补金属氧化物半导体  浮充充电  过充  过放  过流  铅酸蓄电池

A Design of a Lead-Acid Battery Charging and IC Protecting
LING Chao-dong,ZENG De-you,LI Guo-gang,WANG Jia-xian.A Design of a Lead-Acid Battery Charging and IC Protecting[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2008,29(3).
Authors:LING Chao-dong  ZENG De-you  LI Guo-gang  WANG Jia-xian
Abstract:
Keywords:
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