| 对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究 |
| |
| 引用本文： | 孙媛媛,张启仁,刘廷禹,易志军.对不同掺杂浓度La~(3 )∶PbWO_4晶体电子结构的研究[J].上海理工大学学报,2006(5). |
| |
| 作者姓名： | 孙媛媛 张启仁 刘廷禹 易志军 |
| |
| 作者单位： | 上海理工大学理学院 上海200093 |
| |
| 摘 要： | 采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La3 时可能存在的缺陷团簇模型.通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La3 离子最可能的替位位置,并通过基于密度泛函理论的离散变分DV Xα方法计算得到相应的La3 ∶PWO4晶体的电子态密度.计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽,高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄.实验测得低浓度掺La3 时晶体的吸收边紫移,高浓度掺La3 时晶体的吸收边红移,计算结果与实验结果相符.计算表明,La3 ∶PWO4晶体中掺La3 可以有效地抑制420 nm吸收.
|
| 关 键 词： | La3 ∶PWO4晶体 电子结构 吸收边 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《上海理工大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《上海理工大学学报》下载免费的PDF全文 |
|
