| 低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计 |
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| 引用本文： | 连天培,蒋品群,宋树祥,蔡超波,庞中秋.低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计[J].广西师范大学学报(自然科学版),2019,37(1). |
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| 作者姓名： | 连天培 蒋品群 宋树祥 蔡超波 庞中秋 |
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| 作者单位： | 广西师范大学 电子工程学院,广西 桂林,541004;广西师范大学 电子工程学院,广西 桂林,541004;广西师范大学 电子工程学院,广西 桂林,541004;广西师范大学 电子工程学院,广西 桂林,541004;广西师范大学 电子工程学院,广西 桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;广西壮族自治区高等学校项目;广西自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40～130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15 MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 动态阈值MOS管 |
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