| Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 董成军,陈青云,徐明,周海平,段满益,胡志刚. Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 四川师范大学学报(自然科学版), 2009, 32(6). DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2009.06.015 |
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| 作者姓名： | 董成军 陈青云 徐明 周海平 段满益 胡志刚 |
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| 作者单位： | 四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体物理研究所,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 四川省应用基础研究基金 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.
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| 关 键 词： | Si掺杂InN 第一性原理 电子结构 光学性质 |
First-principles Calculation of the Electronic Structure and Optical Properties of Si-doped InN |
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