| 4H—SiC MESFET表面陷阱效应研究 |
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| 引用本文： | 陈壮梁,罗小蓉,邓小川,周春华,黄何.4H—SiC MESFET表面陷阱效应研究[J].实验科学与技术,2006,4(B12):43-45,56. |
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| 作者姓名： | 陈壮梁 罗小蓉 邓小川 周春华 黄何 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,成都610054 |
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| 基金项目： | 国家预研基金资助项目. |
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| 摘 要： | 分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移；在瞬态特性上，引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析，并给出了电子浓度分布随时间的变化。
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| 关 键 词： | 4H—SiC MESFET 表面陷阱 直流特性 瞬态特性 |
| 文章编号： | 1672-4550（2006）07-0043-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-19 |
Study of the Surface Trap Effect in 4H- SiC MESFET |
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| CHEN Zhuang-liang, LUO Xiao-rong, DENG Xiao-chuan , ZHOU Chun-hua, HE Huang.Study of the Surface Trap Effect in 4H- SiC MESFET[J].Experiment Science & Technology,2006,4(B12):43-45,56. |
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| Authors: | CHEN Zhuang-liang LUO Xiao-rong DENG Xiao-chuan ZHOU Chun-hua HE Huang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H - SiC MESFET surface - trap DC charactoristics transient characteristics |
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