| 共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟 |
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| 作者姓名： | 郭方方 林枞 徐政 孙丹峰 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092
2. 苏州中普电子有限公司,江苏,苏州,215011 |
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| 摘 要： | 从多种离子反应平衡角度,对氨法共沉淀过程进行了理论分析,并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法.对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的只能与OH-络合的金属离子(B类离子)的单体沉淀、共沉淀,以及A类(既能与NH3也能与OH-络合的金属离子)、B类离子的共沉淀进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系.
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| 关 键 词： | ZnO压敏电阻 共沉淀 数学模拟 共沉淀 纳米掺杂 压敏电阻 数学模拟 Powders Ceramic Varistor Doping Coprecipitation 关系 添加量 氨水 反应系数 模拟计算 单体 金属离子 沉淀反应 粉体 计算方法 数学模型 |
| 文章编号： | 0253-374X（2008）01-0062-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-11 |
| 修稿时间： | 2006-05-11 |
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