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| GaN纳米线的成核及生长机制研究 | |
| 作者姓名： | 贾圣果 俞大鹏 |
| 作者单位： | 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,电子显微镜实验室,北京,100871;北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,电子显微镜实验室,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;50025206,19834080; |
| 摘 要： | 报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响。通过分析GaN纳 米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系,详细研究了GaN纳米线的生长过程。这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理,实现纳米材料的可控制生长,并有可能直接应用于GaN纳米器件的制备。 |
| 关 键 词： | GaN 成核 催化剂 生长机理 |
| 收稿时间： | 2002-04-16 |
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