| 考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及器件优化设计 |
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| 引用本文： | 叶然,张春伟,刘斯扬,孙伟锋.考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及器件优化设计[J].东南大学学报(自然科学版),2015,45(2):214-218. |
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| 作者姓名： | 叶然 张春伟 刘斯扬 孙伟锋 |
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| 作者单位： | 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096 |
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| 基金项目： | 港澳台科技合作专项资助项目，江苏省青蓝工程资助项目、东南大学研究生科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管(SOI-p LDMOS),提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影响,验证结果显示新模型能更好地符合Medici数值仿真结果.此外,基于所建立的器件表面电场模型,研究了栅极场板长度(包括多晶硅场板和金属场板)及漂移区掺杂浓度对器件表面电场分布和击穿特性的影响,进而对SOI-p LDMOS进行了优化设计.流片测试表明,所建立的新型表面电场解析模型能够很好地指导器件参数设计,实现了器件耐压和导通电阻的最佳折中.
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| 关 键 词： | 解析模型 表面电场 SOI-pLDMOS 边缘效应 |
Surface electrical field model of SOI-pLDMOS considering edge effect of field plate and optimization design |
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| Ye Ran
,
Zhang Chunwei
,
Liu Siyang
,
Sun Weifeng.Surface electrical field model of SOI-pLDMOS considering edge effect of field plate and optimization design[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2015,45(2):214-218. |
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| Authors: | Ye Ran Zhang Chunwei Liu Siyang Sun Weifeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | analytical model surface field SOI-pLDMOS edge effect |
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