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| 准分子激光制备BIT／PLZT／BIT多层铁电薄膜的电容特性研究 | |
| 引用本文： | 田虎永,李兴教.准分子激光制备BIT／PLZT／BIT多层铁电薄膜的电容特性研究[J].湖北大学学报(自然科学版),1998,20(2):149-152. |
| 作者姓名： | 田虎永 李兴教 |
| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院，华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 采用脉冲准分子激光工艺在６３０℃（ＢＩＴ）和５３０℃（ＰＬＺＴ）条件下，分别在ｐ型Ｓｉ（１００）和ｎ型Ｓｉ（１００）单晶基片上成功地淀积了ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ多层结构铁电薄膜，采用低频阻抗分析仪分析电容特性，结果表明在ｐ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是顺时针方向，而在ｎ型Ｓｉ基片上ＣＶ回线是逆时针方向，分析了它们的ＣＶ特性曲线的记忆窗口，表明多层铁电薄膜是铁电场效应管理想的栅极材料．讨论了记忆窗口与频率的关系，表明记忆窗口大小随频率改变．ＣＶ非回线表明低频下色散大些． |
| 关 键 词： | 多层结构 BIT／PLZT／BIT C-V曲线 记忆窗口 激光沉积工艺 |
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