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双量子阱中的折射率改变
引用本文:邓永晴,郭康贤,于凤梅,王瑞强.双量子阱中的折射率改变[J].广州大学学报(自然科学版),2005,4(2):108-111.
作者姓名:邓永晴  郭康贤  于凤梅  王瑞强
作者单位:广州大学,物理与电子工程学院,广东,广州,510405;广州大学,物理与电子工程学院,广东,广州,510405;广州大学,物理与电子工程学院,广东,广州,510405;广州大学,物理与电子工程学院,广东,广州,510405
基金项目:广东省自然科学基金资助项目 (0 3 0 50 0 )~~
摘    要:用量子力学的密度矩阵和迭代的方法,得到双量子阱的光致折射率改变的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs双量子阱为例,进行数值计算。结果表明,折射率改变不但与入射光强有关,更与阱中的势垒宽度有关。

关 键 词:折射率  双量子阱

Refractive index change in double quantum wells
DENG Yong-qing,GUO Kang-xian,YU Feng-mei,WANG Rui-qiang.Refractive index change in double quantum wells[J].Journal og Guangzhou University:Natural Science Edition,2005,4(2):108-111.
Authors:DENG Yong-qing  GUO Kang-xian  YU Feng-mei  WANG Rui-qiang
Abstract:The optical field induced refractive index change in double quantum wells is calculated theoretically by density matrix and iterative method. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/AlGaAs double quantum wells (DQWs). Results show that the electric field induced refractive index change in DQWs varies with the width of the intermediate potential barrier. And it decreases as the incident optical intensity increases.
Keywords:refractive index change  double quantum wells
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