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| 拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应 | |
| 引用本文： | 何珂,王亚愚,薛其坤.拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应[J].科学通报,2014(35). |
| 作者姓名： | 何珂 王亚愚 薛其坤 |
| 作者单位： | 清华大学物理系;低维量子物理国家重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11174343,11134008);科技部重大科学研究计划(2012CB921300)资助 |
| 摘 要： | 量子霍尔效应是一种可以在宏观尺度出现的量子现象,由二维电子系统在强磁场下所具有的独特拓扑性质所引起.长期以来人们一直希望能够实现不需外磁场的量子霍尔效应,以便将其应用于低能耗电学器件.磁性拓扑绝缘体薄膜可能具有的量子化的反常霍尔效应即是一种可以在零磁场下出现的量子霍尔效应.本文介绍了拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应的概念发展及量子反常霍尔效应如何在磁性掺杂拓扑绝缘体中实验实现,并探讨了量子反常霍尔效应在低能耗器件方面的应用前景. |
| 关 键 词： | 量子反常霍尔效应 量子霍尔效应 拓扑绝缘体 磁性掺杂 |
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