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| 三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子 | |
| 作者姓名： | 李成德 |
| 作者单位： | 中南民族大学 电子信息工程学院,武汉430074 |
| 摘 要： | 介绍了拓扑绝缘体与量子霍尔效应"家族"的关系和由来,并且从轴子模型的起源角度探讨了三维拓扑绝缘体的磁电耦合效应与冷暗物质轴子模型的联系与区别.结果表明:它们的联系在于材料的电子能带结构和QCD真空结构在拓扑特性上相似,因而有相似的电磁响应;但二者的物理起源不同,有关提议的用磁性拓扑绝缘体(TMI)测暗物质轴子的实验探测的轴子应该是外来的而非TMI产生的. |
| 关 键 词： | 拓扑绝缘体 量子霍尔效应 磁电耦合效应 轴子 |
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