| 电子碰撞引起的元素钬和锇的L壳电离 |
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| 引用本文： | 罗正明,杨代伦,勾成俊,吴章文,彭秀峰,何福庆.电子碰撞引起的元素钬和锇的L壳电离[J].科学通报,2006,51(12):1369-1372. |
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| 作者姓名： | 罗正明 杨代伦 勾成俊 吴章文 彭秀峰 何福庆 |
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| 作者单位： | 辐射物理及技术教育部重点实验室,四川大学原子核科学技术研究所,成都,610064 |
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| 基金项目： | 致谢 本工作为国家自然科学基金（批准号：10275044）和国际原子能机构IAEA研究合同（编号：12354/R1）资助项目. |
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| 摘 要： | 无论在基础研究方面, 还是在高技术应用方面, 电子轰击原子的内壳电离截面都具有重要意义. 目前电子轰击元素K和L壳层电离截面的测量多采用薄靶或气体靶, 气体靶仅限于少数气体元素, 而薄靶又因制靶的困难使测量工作难于开展. 为了解决这些难题, 提出在厚衬底上镀薄膜的新方法来测量元素内壳电离截面. 用薄靶厚衬底技术测量了电子碰撞引起的元素钬和锇 L 壳分产生截面、总产生截面和平均电离截面, 电子能量从阈能附近到36 keV. 同时, 采用电子输运双群模型对衬底反射电子的影响作修正, 并把实验结果与Gryzinski和McGuire的两个理论计算结果进行比较.
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| 关 键 词： | 钬 锇 L壳电离 电子碰撞 |
| 收稿时间： | 2005-09-29 |
| 修稿时间： | 2005-09-292006-01-25 |
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