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| 提高裂纹扩展门槛值和降低裂纹扩展速率的一种途径 | |
| 引用本文： | 李光霞 ,李长春.提高裂纹扩展门槛值和降低裂纹扩展速率的一种途径[J].华中科技大学学报(自然科学版),1983(6). |
| 作者姓名： | 李光霞 李长春 |
| 摘 要： | 本文探讨电子束辐射30CrMnSiA的TPB试样裂纹端部对裂纹扩展的门槛值△K_(th)及速率da/dN的影响,并分析其影响机理.结果表明,辐射能提高△K_(th)值1.2—1.5倍,并且能降低da/dN,延长使用寿命1.4—2.0倍. |
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