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| In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 刘鑫,代广珍,姜永召,刘宇航,韩名君.In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究[J].牡丹江师范学院学报(自然科学版),2019(3). |
| 作者姓名： | 刘鑫 代广珍 姜永召 刘宇航 韩名君 |
| 作者单位： | 安徽工程大学电气工程学院 |
| 摘 要： | 研究组分变化中InxGa1-xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1-xN材料In组分含量,获得计算模型.计算结果表明,随着In组分的增加,价带结构发生改变,从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In组分为0.5时,能量损失峰值最小,有利于提升紫外光的出光效率. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |