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烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响
引用本文:刘洪波,刘卓,刘洋,周志平,杨景海.烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版),2013(3):57-59.
作者姓名:刘洪波  刘卓  刘洋  周志平  杨景海
作者单位:吉林师范大学物理学院;江苏大学材料科学与工程学院
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金项目(10904050);吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目(吉教科合字[2011]第157号);江苏省2012年度普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ12_0667)
摘    要:通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征.结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加.当样品的烧结温度为800℃时,样品为单相的ZnO结构.磁性测试结果表明,Co掺杂ZnO稀磁半导体在室温下具有铁磁性.

关 键 词:ZnO稀磁半导体  Co掺杂  溶胶—凝胶法  结构  磁性
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