烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响 |
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引用本文: | 刘洪波,刘卓,刘洋,周志平,杨景海.烧结温度对Co掺杂ZnO稀磁半导体性能的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版),2013(3):57-59. |
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作者姓名: | 刘洪波 刘卓 刘洋 周志平 杨景海 |
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作者单位: | 吉林师范大学物理学院;江苏大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金青年科学基金项目(10904050);吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目(吉教科合字[2011]第157号);江苏省2012年度普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ12_0667) |
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摘 要: | 通过溶胶—凝胶法制备了Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计等测试手段对Co掺杂ZnO稀磁半导体样品进行了结构和磁性表征.结果表明,随着烧结温度的升高,样品的固溶度逐渐增加.当样品的烧结温度为800℃时,样品为单相的ZnO结构.磁性测试结果表明,Co掺杂ZnO稀磁半导体在室温下具有铁磁性.
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关 键 词: | ZnO稀磁半导体 Co掺杂 溶胶—凝胶法 结构 磁性 |
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