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| 多孔硅的形成机制及吸收特性 | |
| 引用本文： | 余明斌,王燕.多孔硅的形成机制及吸收特性[J].西安理工大学学报,1998,14(1):24-27. |
| 作者姓名： | 余明斌 王燕 |
| 作者单位： | 西安理工大学理学院自动化与信息工程学院 |
| 摘 要： | 用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级，故采用波长为２００～２６００ｎｍ的红外到紫外范围的光照射，根据多层膜的反射公式，计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明（αｈω）２与（ｈω－Ｅｇ）呈线性关系，表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 光吸收 |
Forming Mechanism of Porous Silicon and Its Optical Absorption Properties |
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| Abstract: | |
| Keywords: | porous silicon photo absorption |
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