| Al2O3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法 |
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| 引用本文： | 窦宝锋,顾彪,史庆军.Al2O3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法[J].佳木斯大学学报,2002,20(1):5-8. |
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| 作者姓名： | 窦宝锋 顾彪 史庆军 |
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| 作者单位： | 大连理工大学电气工程与应用电子技术系 辽宁大连116023
(窦宝锋，顾彪)，佳木斯大学信息电子技术学院 黑龙江佳木斯154007(史庆军) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 (项目号 695 760 0 3 ) |
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| 摘 要： | 研究了 ECR- PAMOCVD在蓝宝石衬底上生长 Ga N外延层时衬底的清洗方法和缓冲层结构对于 Ga N晶体质量的影响 ,提出了新的衬底清洗方法和双缓冲层结构 .实验表明这种方法能够提供一个很好的生长基底 ,可以有效地改善 Ga N外延层的晶体质量
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| 关 键 词： | ECR-PAMOCVD 衬底清洗方法 双缓冲层 |
| 文章编号： | 1008-1402(2002)01-0005-04 |
| 修稿时间： | 2001年10月25 |
A NEW METHOD OF GROWING GaN FILMS ON THE Al2O3 SUBSTRATE AT LOW TEMPERATURE |
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| DOU Bao-feng ,GU Biao ,SHI Qing-jun.A NEW METHOD OF GROWING GaN FILMS ON THE Al2O3 SUBSTRATE AT LOW TEMPERATURE[J].Journal of Jiamusi University(Natural Science Edition),2002,20(1):5-8. |
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| Authors: | DOU Bao-feng GU Biao SHI Qing-jun |
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| Institution: | DOU Bao-feng 1,GU Biao 1,SHI Qing-jun 2 |
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| Abstract: | The influence of cleaning method of substrate, when growing GaN epitaxy on sapphire by ECR-PAMOCVD, and buffer layer structure on GaN crystal quality is studied. A new cleaning method of substrate and double buffer layers are proposed. The results show that the method can lead to a good growing template and improve the crystal quality of GaN epitaxy effectively. |
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| Keywords: | ECR-PAMOCVD cleaning method of substrate double buffer structure |
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