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分类号
杂志ISSN号
溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响
作者姓名:
郭继花
黄致新
崔增丽
杨磊
邵剑波
作者单位:
华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079
基金项目:
国家自然科学基金资助项目
摘 要:
采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射功率对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响.测量结果表明:基片与靶间距为72 mm溅射功率为75 W,溅射气压为0.5 Pa,薄膜厚度为120 12m时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顾力达到5966 Oe,克尔角为0.413 °.
关 键 词:
射频磁控溅射
磁光性能
溅射功率
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