|
|||||
|
|
| （AlxGa1—x）yIn1—yP表面氧化特性 | |
| 引用本文： | 连洁,黄柏标.（AlxGa1—x）yIn1—yP表面氧化特性[J].山东大学学报(自然科学版),1999,34(2):170-175. |
| 作者姓名： | 连洁 黄柏标 |
| 作者单位： | [1]山东大学光电系 [2]山东大学晶体国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用双层吸收膜模型，采用消光式椭圆偏振仪，对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算，并对其结果加以讨论。另外还在室温下对（ＡｌｘＨａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究，并得对膜厚与时间的线性关系曲线 |
| 关 键 词： | 氧化膜 光学参数 四元半导体 AlGaInP 表面氧化 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |