用椭圆偏振光谱法研究GaxIn1—xP的光学性质（Ⅱ）

用椭偏光谱法对用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ掺Ｓｉ及掺Ｚｎ样品在室温下，可见光区得到的光学常数求其介电函数三级微商谱。将用于分析调制反射谱的三点比例法推广，并用来分析介电函数的三级微商谱。精确地得到样品的带隙Ｅｇ，Ｅｇ＋△ｏ以及Ｅｇ以上成对结构跃迁的能量位置及其隔离。计算了Ｅｇ以及费米能级的相对位置。将实验值与计算值比较，分析其差异的原因，发现样品存在有序结构。