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玻璃与硅片场致扩散连接过程中的电流特性与断口分析
引用本文:喻萍,孟庆森,薛锦. 玻璃与硅片场致扩散连接过程中的电流特性与断口分析[J]. 河南科技大学学报(自然科学版), 2002, 23(4): 31-33
作者姓名:喻萍  孟庆森  薛锦
作者单位:西安交通大学,陕西,西安,710049;西安交通大学,陕西,西安,710049;西安交通大学,陕西,西安,710049
基金项目:国家 2 11工程资助资助项目 (2 11-2 0 3 0 40 0 6)
摘    要:对K4 玻璃与硅片在大气中进行了场致扩散焊 (阳极焊 )焊接试验。结果表明 ,K4 玻璃与硅片在焊接温度为 30 0~ 4 5 0℃和焊接电压为 70 0~ 85 0V的范围内都能够实现较好的连接。试验还表明 ,阳极焊过程中的电流随时间的延长而降低并渐趋稳定、随焊接温度和焊接电压的降低而减小。利用扫描电镜和能谱分析等手段对拉伸断口及接头组织和成分进行了分析。

关 键 词:焊接  场致扩散连接  玻璃    断口金相
文章编号:1000-5080(2002)04-0031-03
修稿时间:2002-05-20

Current Characteristics and Frature Analysis in Field-assisted Bonding of K4 Glass-Silicon
YU Ping,MENG Qing Sen,XUE Jin. Current Characteristics and Frature Analysis in Field-assisted Bonding of K4 Glass-Silicon[J]. Journal of Henan University of Science & Technology:Natural Science, 2002, 23(4): 31-33
Authors:YU Ping  MENG Qing Sen  XUE Jin
Abstract:
Keywords:Welding  Field assisted bonding  Glass  Silicon  Fractography
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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