| 压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化 |
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| 引用本文： | 邵金友,丁玉成,卢秉恒,王莉,刘红忠.压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化[J].西安交通大学学报,2006,40(9):1045-1048,1116. |
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| 作者姓名： | 邵金友 丁玉成 卢秉恒 王莉 刘红忠 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题，利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理，提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法．该方法采用下压力约束薄膜，使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布，从而削弱了覆盖膜的不对称性，获得了相应的薄膜厚度．采用旋涂厚度为1．1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验，发现下压力大于0．48MPa时，薄膜结构具有较好的对称性，下压力为1．12MPa时，对准信号的对比度达到最大．试验结果表明，压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性，利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响，而且对准精度可满足100nm压印光刻的要求．
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| 关 键 词： | 压印光刻 对准 阻蚀胶 优化 |
| 文章编号： | 0253-987X（2006）09-1045-04 |
| 收稿时间： | 2006-01-05 |
| 修稿时间： | 2006-01-05 |
Design and Optimization of Resist Film in Imprint Lithography Alignment Process |
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| Shao Jinyou,Ding Yucheng,Lu Bingheng,Wang Li,Liu Hongzhong.Design and Optimization of Resist Film in Imprint Lithography Alignment Process[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2006,40(9):1045-1048,1116. |
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| Authors: | Shao Jinyou Ding Yucheng Lu Bingheng Wang Li Liu Hongzhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | imprint lithography alignment resist optimization |
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