| 四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型 |
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| 引用本文： | 张院生,郭子政. 四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型[J]. 内蒙古师范大学学报(自然科学版), 2009, 38(1) |
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| 作者姓名： | 张院生 郭子政 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,内蒙古,呼和浩特,010022;集宁师范高等专科学校,物理系,内蒙古,集宁,012000;内蒙古师范大学,物理与电子信息学院,内蒙古,呼和浩特,010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,内蒙古师范大学研究生科研创新基金 |
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| 摘 要： | 采用模型固体理论,在计入晶格失配造成的应变效应的情况下,计算了In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带.结果表明:通过调整混晶组分,可以方便地调制能带结构,实现能带转型; 当阱由单层变为多层时,通过控制组分可使势阱由方阱变为抛物阱.
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| 关 键 词： | 四元混晶 量子阱 组分 能带转型 应变 |
Tuning of the Band Lineups Type of the Quaternary Mixed Crystal InGaAsP Quantum Wells by the Variational Concentration |
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| ZHANG Yuan-sheng,,GUO Zi-zheng. Tuning of the Band Lineups Type of the Quaternary Mixed Crystal InGaAsP Quantum Wells by the Variational Concentration[J]. Journal of Inner Mongolia Normal University(Natural Science Edition), 2009, 38(1) |
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| Authors: | ZHANG Yuan-sheng GUO Zi-zheng |
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| Affiliation: | 1.College of Physics and Electronic Information;Inner Mongolia Normal University;Hohhot 010022;2.Department of Physics;Jining Normal College;Jining 012000;Inner Mongolia;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quaternary mixed crystal quantum wells concentration transformation of the band lineups type strain |
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