| 类氢硅离子双电子复合的理论研究 |
| |
| 引用本文： | 谌晓洪,杨天丽,唐永建,蒋刚,朱正和. 类氢硅离子双电子复合的理论研究[J]. 四川大学学报(自然科学版), 2005, 42(1): 104-107 |
| |
| 作者姓名： | 谌晓洪 杨天丽 唐永建 蒋刚 朱正和 |
| |
| 作者单位： | 四川大学原子分子物理工程研究所,成都,610065;西华大学应用物理研究所,成都,610039;四川大学原子分子物理工程研究所,成都,610065;中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900 |
| |
| 摘 要： | ![]()
基于准相对论多组态Hartree Fock理论和Cowan程序包(RCN34/RCN2/RCG9),计算了类氢硅离子双电子复合速率系数,讨论了双激发自电离态电子的轨道角动量、电子温度、双电子复合过程的末态选择等对类氢硅离子双电子复合速率系数的影响.计算结果表明:在研究的电子温度范围内,复合通道为2pnp→2pn′l′的复合占优势,在电子温度Te=0 07keV时,总复合系数达到共振峰αDR=1 41×10-11cm3·s-1.
|
| 关 键 词： | 双电子复合 类氢硅离子 速率系数 |
| 文章编号： | 0490-6756(2005)01-0104-04 |
Dielectronic Recombination for H-like Silicon Ion |
| |
| SHENG Xiao-hong,YANG Tian-li,TANG Yong-jian,JIANG Gang,ZHU Zheng-he. Dielectronic Recombination for H-like Silicon Ion[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 2005, 42(1): 104-107 |
| |
| Authors: | SHENG Xiao-hong YANG Tian-li TANG Yong-jian JIANG Gang ZHU Zheng-he |
| |
| Affiliation: | SHENG Xiao-hong~ |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | dielectronic recombination H-like Si ions rate coefficient |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
