| 硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛 |
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| 引用本文： | 李阳娟,黄凯,赖虹凯,李成.硅纳米图形诱导生长分布均匀的锗纳米岛[J].厦门大学学报(自然科学版),2011,50(6):975-979. |
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| 作者姓名： | 李阳娟 黄凯 赖虹凯 李成 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,福建厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)，国家自然科学基金项目，福建省自然科学基金项目，中央高校基本业务费资助课题 |
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| 摘 要： | 采用阳极氧化铝模板的方法在硅衬底上制备出分布均匀的硅纳米图形,研究了在硅纳米图形衬底上自组装生长锗纳米岛的演化.发现在500℃下,硅纳米图形对自组装生长锗岛起到诱导作用,获得尺寸和分布均匀的Ge纳米岛,岛的尺寸为35nm,密度达到5×1010 cm-2.当温度较低和较高时,硅纳米图形的诱导作用变得不明显.最后探讨了纳米图形诱导锗纳米岛生长可能的机理.
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| 关 键 词： | 阳极氧化铝模板 硅纳米图形衬底 锗纳米岛 |
Ge Nanodots Organization on Si Substrates Patterned by ECL Method |
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| LI Yang-juan,HUANG Kai,LAI Hong-kai,LI Cheng.Ge Nanodots Organization on Si Substrates Patterned by ECL Method[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2011,50(6):975-979. |
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| Authors: | LI Yang-juan HUANG Kai LAI Hong-kai LI Cheng |
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| Institution: | LI Yang-juan,HUANG Kai,LAI Hong-kai,LI Cheng (School of Physics and Mechanical & Electrical Engineering,Xiamen University,Xiamen 361005,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | anodic aluminum oxide template pre-patterned Si substrates Ge nanodots |
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