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溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响
引用本文:刘敏,崔增丽,黄致新,郭继花,张峰. 溅射功率对氮化铜薄膜结构及其性能的影响[J]. 华中师范大学学报(自然科学版), 2008, 42(1): 54-57
作者姓名:刘敏  崔增丽  黄致新  郭继花  张峰
作者单位:1. 华中师范大学出版社,武汉,430079;华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079
2. 华中师范大学物理科学与技术学院,武汉,430079
摘    要:
采用反应射频磁控溅射方法,在氮气和氧气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择优取向、平均品粒尺寸、电阻率、光学能隙的影响.XRD显示溅射功率对氮化铜薄膜的择优取向影响很大,在低功率时薄膜择优[111]方向,在较高功率时薄膜择优[100]方向.紫外可见光谱、四探针电阻仪等测试表明:当溅射功率从80 W逐渐增加到120 W时,薄膜的光学能隙从1.85 eV减小到1.41 eV,电阻率从1.45×102 Ωcm增加到2.99×103 Ωcm.

关 键 词:氮化铜薄膜  溅射功率  结构  性能
文章编号:1000-1190(2008)01-0054-04
修稿时间:2007-10-20

Effect of sputtering power on structure and properties of copper nitride thin films
LIU Min,CUI Zengli,HUANG Zhixin,GUO Jihua,ZHANG Feng. Effect of sputtering power on structure and properties of copper nitride thin films[J]. Journal of Central China Normal University(Natural Sciences), 2008, 42(1): 54-57
Authors:LIU Min  CUI Zengli  HUANG Zhixin  GUO Jihua  ZHANG Feng
Abstract:
Keywords:
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