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采用热压工艺制备高纯致密Ti3SiC2材料
引用本文:陈艳林,梅炳初,朱教群.采用热压工艺制备高纯致密Ti3SiC2材料[J].华中科技大学学报(自然科学版),2005,33(3):10-12.
作者姓名:陈艳林  梅炳初  朱教群
作者单位:湖北工业大学,化学与环境工程学院,湖北,武汉,430068;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (5 0 172 0 37) .
摘    要:原料摩尔配比为n(TiC)∶n(Ti)∶n(Si)∶n(Al) =2∶1∶1∶0 .2的起始混合粉料在 130 0~ 14 0 0℃和 30MPa压力下热压 2h制得高纯致密Ti3 SiC2 块体材料 .添加适量铝作助剂显著加快Ti3 SiC2 的反应合成 ,并使Ti3 SiC2 在 12 0 0℃下大量生成 ,能谱仪分析表明Al在材料中均匀分布 .所得Ti3 SiC2 颗粒为板状结晶形貌 ,平面内尺寸大小为 3~ 8μm .

关 键 词:碳化钛硅  热压  高纯致密  
文章编号:1671-4512(2005)03-0010-03
修稿时间:2004年4月20日

Fabrication of Ti3SiC2 material with high purity by hot-pressing(HP)
Chen Yanlin,Mei Bingchu,Zhu Jiaoqun.Fabrication of Ti3SiC2 material with high purity by hot-pressing(HP)[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2005,33(3):10-12.
Authors:Chen Yanlin  Mei Bingchu  Zhu Jiaoqun
Institution:Chen Yanlin Mei Bingchu Zhu Jiaoqun Chen Yanlin Lect., College of Chemistry & Environment Engineering,Hubei Univ. of Tech.,Wuhan 430068,China.
Abstract:
Keywords:titanium silicon carbide  hot pressing  high purity and density  aluminum
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