| 混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光 |
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| 引用本文： | 俞容文,郑健生,糜东林,颜炳章.混晶GaAs_（1－x）P_x：N中等电子杂质束缚激子的发光[J].厦门大学学报(自然科学版),1995(2). |
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| 作者姓名： | 俞容文 郑健生 糜东林 颜炳章 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ的光致发光进行了研究。在发光谱中分别明显地出现ＮＮ＿ｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎ＿ｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎ＿ｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎ＿ｘ束缚激子从孤立Ｎ＿ｘ中心到ＮＮ＿ｉ中心的热激活转移。分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转移现象的主导机制分别是多重陷入和变程跳跃．
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| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族半导体，混晶无序，束缚激子，能量转移 |
Photoluminescence on Excitons Bound to Isoelectfonic Traps in GaAs_(1-x)P_x:N |
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| Yu Rongwen, Zheng Jiansheng, Mi Donglin, Yan Bingzhang.Photoluminescence on Excitons Bound to Isoelectfonic Traps in GaAs_(1-x)P_x:N[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1995(2). |
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| Authors: | Yu Rongwen Zheng Jiansheng Mi Donglin Yan Bingzhang |
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| Institution: | Dept.of Phys. |
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