| GaN基MSM结构紫外光探测器 |
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| 引用本文： | 王俊,赵德刚,刘宗顺,冯淦,朱建军,沈晓民,张宝顺,杨辉.GaN基MSM结构紫外光探测器[J].中国科学(G辑),2003,33(1):34-38. |
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| 作者姓名： | 王俊 赵德刚 刘宗顺 冯淦 朱建军 沈晓民 张宝顺 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”计划基金 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层, 以此为材料, 制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器. 测量了该紫外光探测器的暗电流和360 nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线. 该紫外光探测器在5 V偏压时暗电流为1.03 nA, 在10 V偏压时暗电流为15.3 nA. 在15 V偏压下该紫外光探测器在366 nm波长处的响应度达到0.166 A/W, 在365 nm波长左右有陡峭的截止边. 从0~15 V, 该紫外光探测器在360 nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大. 详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系.
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| 关 键 词： | MSM结构 紫外光探测器 响应度 GaN |
| 收稿时间： | 2002-07-20 |
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