| 添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构的影响 |
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| 引用本文： | 杨防祖,黄令,许书楷,姚士冰,陈秉彝,周绍民. 添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构的影响[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2003, 42(1): 56-59 |
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| 作者姓名： | 杨防祖 黄令 许书楷 姚士冰 陈秉彝 周绍民 |
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| 作者单位： | 厦门大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室,物理化学研究所,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(20073037)，优秀国家重点实验室基金(20013001)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用电化学、X射线衍射和扫描电镜方法研究酸性镀铜过程中添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构和表面形貌的影响。结果表明，采用本文所研制的添加剂，可以获得光亮、致密且整平能力可达到100％的Cu电沉积层；所获得的Cu镀层均不存在明显的晶面择优取向现象。镀液中光亮剂单独存在及其与整平剂共存时，镀层表面分别呈现晶粒细小致密形貌和网状结构。
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| 关 键 词： | 电沉积层 Cu镀层 添加剂 整平能力 铜电镀 镀层结构 |
| 文章编号： | 0438-0479(2003)01-0056-04 |
| 修稿时间： | 2002-02-27 |
Leveling Ability of Additives and Their Effects on Structure of Cu Electrodeposits |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu deposit electrodeposition additive leveling ability |
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